Especificación técnica del objetivo giratorio: material de grado semiconductor y pureza Materiales base: Cu, Ta, Co, Ru, W, TiN, TaN (pureza 5N–6N: 99,999 %–99,9999 %) Límites de impurezas: Oxígeno: < 20 ppm Nitrógeno: < 50 ppm Hidrógeno: < 1 ppm Contaminantes metálicos (Fe, Ni, Cr): < 1 ppm cada uno Verificado mediante ICP-MS y análisis de fusión de gas inerte según SEMI M11-12 Diseño estructuralForma: geometría cilíndrica, diámetro interior 75–150 mm, longitud 300–1200 mmRespaldo: tubo de cobre libre de oxígeno-(OFC), difusión-unido mediante vacío prensado en caliente Fuerza de unión: > 30 MPa a 25 grados; estable bajo ciclos térmicos (–40 grados a 300 grados) Acabado superficial: Ra Menor o igual a 0,2 μm; sin microfisuras, inclusiones ni porosidad (verificado por SEM/EDS)
Especificación de producto de objetivo giratorio: grado semiconductor
Introducción del producto Nuestro objetivo giratorio de pureza ultra-alta- es un objetivo de pulverización catódica cilíndrico diseñado para la fabricación avanzada de semiconductores. Construido a partir de metales puros 5N–6N (99,999 %–99,9999 %)-incluidos Cu, Ta, Co y Ru-cada objetivo está unido a un tubo de soporte de cobre mecanizado con precisión-mediante soldadura por difusión. Este diseño garantiza la estabilidad térmica bajo pulverización catódica con magnetrón CC/RF de alta-potencia, lo que permite ciclos de deposición continuos e ininterrumpidos en fábricas lógicas y de memoria de 7 nm y menos.
Exhibición de productos
Características de rendimiento
Eficiencia de utilización: logra un uso de material del 75 % al 85 %-más del doble que los objetivos planos (30 % al 50 %)-reduciendo el desperdicio de materia prima y la frecuencia de reemplazo Uniformidad de deposición: el perfil de erosión uniforme en toda la superficie cilíndrica garantiza una variación de espesor de ±2 % en obleas de 300 mm, fundamental para interconexiones de menos de 5 nm.
Thermal Stability: Bond interface withstands >temperaturas de funcionamiento de 300 grados; MTBF supera los 550 kWh bajo pulverización catódica de Cu de alta-potencia, una mejora del 80 % con respecto a los objetivos unidos estándar Control de pureza y contaminación: O < 0,0020 %, N < 0,005 %, H < 0,0001 % por GB/T 5235-2021; certificado mediante ICP-MS y análisis de fusión de gas inerte Acabado superficial: Ra < 0,2 μm; libre de óxidos, inclusiones o microfisuras para evitar la formación de arcos y la generación de partículas
Campos de aplicación
Capas de interconexión: objetivo giratorio de Cu y Ru para cableado damasquinado en transistores GAA de 3 nm Capas de barrera: objetivo giratorio de TaN y TiN para la adhesión de capas atómicas-en procesos de relleno Embalaje avanzado: objetivo giratorio CoW y NiPt para embalaje a nivel de oblea-en abanico- (FOWLP) Memoria de alta-densidad: objetivo giratorio de Al y W para la deposición de electrodos de pila 3D NAND
Requisitos-centrados en el cliente
Reducción de costos: Reduzca el costo objetivo por oblea entre un 40 % y un 60 % gracias a una mayor vida útil y un menor tiempo de inactividad. Mejora del rendimiento: minimiza los defectos inducidos por partículas-(<0.1/cm²) via ultra-clean processing and vacuum-sealed packaging Compatibilidad de procesos: Diseñado para RF de 13,56 MHz y potencia de CC de 10 a 20 kW; compatible con cámaras PVD existentes (Applied Materials, Lam Research) Confiabilidad de la cadena de suministro: trazabilidad total desde la materia prima (JX Nippon, Materion) hasta la inspección final; Certificado ISO 9001/14001
Cumplimiento técnico
Estándares: ASTM B814-14, SEMI M11-12, GB/T 5235-2021 Embalaje: película laminada de aluminio-sellada al vacío-con desecante; enviado en contenedores purgados con nitrógeno- Certificación: cada lote incluye COA con análisis de grano ICP-MS, XRF y EBSD
El objetivo giratorio no es simplemente un consumible-es un facilitador de procesos. Al maximizar la utilización, minimizar los defectos y permitir un funcionamiento estable de alta-potencia, respalda directamente la transición a nodos semiconductores de menos de 3 nm.
El objetivo giratorio ofrece eficiencia, pureza y estabilidad inigualables para la fabricación de semiconductores sub-5 nm. Su diseño aborda directamente las demandas de la industria en cuanto a rendimiento, costo y continuidad del proceso en la fabricación de alto volumen.
Preguntas frecuentes
P: ¿Podría proporcionarnos una predicción de la vida útil del objetivo giratorio?
R: La vida útil del objetivo giratorio no es un valor fijo sino una función calculable del material, la geometría y los parámetros del proceso. Con pared inicial de 5 mm:
Tungsten targets can last over 25,000 kWh - equivalent to >100 días de funcionamiento continuo 24 horas al día, 7 días a la semana a 15 kW Los objetivos de cobre, aunque tienen una vida más corta-, siguen siendo rentables-debido a tasas de deposición más altas y un menor costo de material por oblea. Para las fábricas de rendimiento crítico-, la predicción de la vida útil permite una programación proactiva de reemplazo, lo que reduce el tiempo de inactividad no planificado hasta en un 40 %.
P: ¿Cuáles son las principales aplicaciones de los objetivos giratorios?
R: Los objetivos giratorios son la opción principal para películas conductoras transparentes (TCO) en la industria de pantallas planas (FPD), y cubren todas las rutas tecnológicas principales:
ITO targets: used for pixel electrodes in TFT-LCDs and anode layers in OLEDs, achieving a synergy of high transmittance (>85%) y baja resistencia laminar (<10 Ω/).
Objetivos IGZO: se utilizan para capas semiconductoras de óxido de alta-movilidad y admiten la tecnología LTPO para lograr frecuencias de actualización de baja-frecuencia y bajo consumo de energía en paneles OLED.
Objetivos de la OIMT y la IZO: aplicados en células fotovoltaicas HJT y pantallas flexibles, mejorando la movilidad de los portadores y la estabilidad ambiental.
Los objetivos giratorios son materiales centrales para interconexiones metálicas y deposición de capas de barrera en procesos de semiconductores avanzados, ampliamente utilizados para:
Objetivos del cobre (Cu): depositar capas de interconexión de baja-resistencia en chips lógicos de 7 nm e inferiores, reemplazar las interconexiones de aluminio tradicionales y mejorar la velocidad de transmisión de la señal.
Objetivos de titanio (Ti), tantalio (Ta) y tungsteno (W): sirven como capas de barrera de difusión (como TiN y TaN) para evitar que los átomos metálicos se difundan en el sustrato de silicio, lo que garantiza la estabilidad eléctrica del dispositivo.
Requisitos de alta pureza: la pureza objetivo debe alcanzar 5N (99,999 %) o más, con impurezas controladas al nivel de ppb para evitar cortocircuitos o fugas de la oblea.
La estructura de hilado aumenta la utilización objetivo entre un 75% y un 85%, lo que reduce significativamente los costos de material por oblea, lo que la convierte en una configuración estándar para fábricas de obleas de 12 pulgadas.
P: ¿Cuál es el proceso de fabricación de los objetivos giratorios?
A: Proceso de fabricación de objetivos giratorios de metal Aplicable a metales dúctiles y aleaciones como cobre (Cu), titanio (Ti), molibdeno (Mo) y níquel (Ni). El proceso principal es el conformado de plástico + unión por soldadura:
Fundición de materias primas y fundición de lingotes Los metales de alta-pureza (pureza mayor o igual al 99,95 %) se funden en una atmósfera inerte mediante fusión por inducción al vacío o fusión por haz de electrones, eliminando impurezas gaseosas (O, N, H<1 ppm).
Luego, el lingote se transforma en un tocho columnar uniforme mediante colada continua electromagnética, con un tamaño de grano controlado entre 50 y 100 μm.
Conformado de plástico Laminación en caliente/laminación en frío: el lingote se lamina hasta formar una placa gruesa (75–80 mm) para eliminar defectos de fundición.
Recocido por recristalización: los objetivos de cobre se recocen a 450–550 grados durante 1 a 2 h, y los objetivos de titanio se recocen a 600–700 grados para lograr la reorganización del grano y mejorar la ductilidad.
Doblado y soldadura a tope: la lámina de metal se dobla en forma de anillo y los dos extremos se sueldan a tope-mediante soldadura por haz de electrones al vacío o soldadura láser para formar un tubo en bruto sin costura.
Unión de la placa posterior: como placa posterior se utilizan tubos de cobre o acero inoxidable de alta-pureza. La conducción del calor y la fijación mecánica se consiguen mediante los siguientes métodos:
Soldadura por difusión: en un ambiente de vacío de 800 grados, el material objetivo y la placa posterior forman una capa de IMC (compuesto intermetálico) con un espesor<5 μm.
Indium-based Solder Bonding: Indium solder with a purity >99.9% and a pull strength >Se utilizan 50 MPa, adecuados para objetivos de gran-tamaño.
After bonding, X-ray inspection is required to ensure the absence of porosity and cracks, and a weld ratio >95%.
Mecanizado fino e inspección: Tolerancia del diámetro exterior menor o igual a ±0,05 mm, diámetro interior y holgura de ajuste de la placa posterior<0.1 mm.
Rugosidad de la superficie Ra Menor o igual a 0,8 μm, amplitud de vibración rotacional controlada para<0.1 mm through dynamic balance correction.
La fuerza de unión se probó según la norma GB/T 39163-2020, con un tamaño de grano menor o igual a 50 μm y una densidad mayor o igual al 99%.
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